博雅彩票平台注册西安功率器件測試應用中心檢測能力

可靠性實驗室

序號 檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
01 高溫反偏試驗(HTRB) MOSFET博雅彩票平台注册、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件
溫度最高150℃博雅彩票平台注册;
電壓最高2000V
美軍標,國標,JEDEC博雅彩票平台注册,IEC,AEC,客戶自定義等
02 高溫門極試驗(HTGB) MOSFET博雅彩票平台注册、SiC MOS等單管器件
溫度最高150℃;
電壓最高2000V
美軍標博雅彩票平台注册,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
03 高溫工作壽命試驗(HTOL) MOSFET、IGBT、DIODE博雅彩票平台注册、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件
溫度最高150℃
電壓最高2000V
美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
04 低溫工作壽命試驗(LTOL) MOSFET、IGBT博雅彩票平台注册、DIODE、BJT、SCR博雅彩票平台注册、IC、第三代半導體器件等單管器件
溫度最低-80℃
電壓最高2000V
美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
05 高溫儲存試驗(HTSL) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR博雅彩票平台注册、IC、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最高150℃; 美軍標,國標博雅彩票平台注册,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
06 低溫儲存試驗(LTSL) MOSFET、IGBT博雅彩票平台注册、DIODE、BJT、SCR博雅彩票平台注册、IC、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度最低-80℃ 美軍標博雅彩票平台注册,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
07 高溫高濕試驗(THB) MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等產品及其他電子產品
溫度最高180℃
濕度范圍:10%~98%
美軍標,國標,JEDEC,IEC博雅彩票平台注册,AEC,客戶自定義等
08 高低溫循環試驗(TC) MOSFET、IGBT博雅彩票平台注册、DIODE博雅彩票平台注册、BJT博雅彩票平台注册、SCR、IC博雅彩票平台注册、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 溫度范圍:-80℃~220℃ 美軍標博雅彩票平台注册,國標,JEDEC,IEC博雅彩票平台注册,AEC,客戶自定義等
09 間歇壽命試驗(IOL)功率循環試驗(PC) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件
ΔTj≧100℃
電壓電流最大48V博雅彩票平台注册,10A
美軍標,國標,JEDEC,IEC博雅彩票平台注册,AEC,客戶自定義等
10 穩態功率試驗(SSOL) MOSFET、DIODE博雅彩票平台注册、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件
ΔTj≧100℃
電壓電流最大48V博雅彩票平台注册博雅彩票平台注册,10A
美軍標博雅彩票平台注册,國標,JEDEC博雅彩票平台注册,IEC,AEC,客戶自定義等
11 高加速應力試驗(HAST) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
溫度130℃/110℃
濕度85%
美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
12 *無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) MOSFET、DIODE、BJT博雅彩票平台注册、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
溫度130℃
濕度85%
美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
13 高溫蒸煮試驗(PCT) MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品
溫度121℃
濕度100%
美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
14 預處理試驗(Pre-con) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC博雅彩票平台注册,IEC,AEC,客戶自定義等
15 潮氣敏感度等級試驗(MSL) 所有SMD類型器件 設備滿足各個等級的試驗要求 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等
16 *可焊性試驗(Solderability) MOSFET、IGBT博雅彩票平台注册、DIODE、BJT、SCR、IC博雅彩票平台注册、第三代半導體器件等單管器件 有鉛、無鉛均可進行 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等

元器件測試室

序號 檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
01 直流參數
MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件;IGBT等模塊產品;
檢測最大電壓:3000V
檢測最大電流:1500A
美軍標,國標,IEC等
02 雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE,第三代半導體器件等單管器件
檢測最大電壓:2500V
檢測最大電流:200A
美軍標
03 柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導體器件 檢測阻抗:0.1Ω~50Ω JEDEC
04 開關時間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件;
檢測最大電壓:1200V
檢測最大電流:200A
美軍標,國標,IEC等
05 開關時間 IGBT等模塊產品
檢測最大電壓:2700V
檢測最大電流:4000A
美軍標,國標,IEC等
06 反向恢復 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
檢測最大電壓:1200V
檢測最大電流:200A
美軍標,國標,IEC等
07 反向恢復 IGBT等模塊產品
檢測最大電壓:2700V
檢測最大電流:4000A
美軍標,國標,IEC等
08 柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
檢測最大電壓:1200V
檢測最大電流:200A
美軍標博雅彩票平台注册,國標,IEC等
09 柵極電荷 IGBT等模塊產品
檢測最大電壓:2700V
檢測最大電流:4000A
美軍標,國標,IEC等
10 短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件
檢測最大電壓:1200V
檢測最大電流:1000A
美軍標,國標,IEC等
11 短路耐量能力 IGBT等模塊產品
檢測最大電壓:2700V
檢測最大電流:10000A
美軍標,國標,IEC等
12 結電容 MOSFET博雅彩票平台注册、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 檢測最大電壓:3000V IEC
13 參數曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT博雅彩票平台注册、SCR,第三代半導體器件等單管器件的I-V、C-V曲線
檢測最大電壓:3000V    檢測最大電流:1500A
溫度:-70°C~180°C
美軍標博雅彩票平台注册,IEC等
14 熱阻性能 MOSFET、IGBT博雅彩票平台注册、DIODE、BJT博雅彩票平台注册、SCR博雅彩票平台注册,第三代半導體器件等單管產品 最大功率:250W 美軍標,JEDEC
15 熱阻性能 IGBT等模塊產品 最大功率:4000W 美軍標博雅彩票平台注册,JEDEC
16 ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產品 HBM最大電壓:8000V;MM最大電壓:800V 美軍標,ANSI,JEDEC等
17 *正向浪涌能力 DIODE(Si/SiC)、整流橋 檢測最大電流:800A 美軍標,國標

應用系統測試室

序號 檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
01 電氣參數 開關電源(例如低壓AC/DC電源博雅彩票平台注册,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;
低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;
直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW博雅彩票平台注册;
電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW
國標博雅彩票平台注册,IEC,客戶要求等
02 *保護功能測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。
低壓AC/DC電源:單相最大輸入電壓/功率為300V/3KVA;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;
低壓DC/DC電源:最大輸入電壓/功率為80V/1.2KW;最大輸出電壓/功率:80V/1000W;
直流充電樁電源模塊:三相最大輸入電壓/功率為500V/30KVA;最大輸出電壓/功率:700V/30KW;
電機控制板:直流輸入電壓/功率100V/5KW
國標,IEC,客戶要求等
03 *元器件應力測試 開關電源(例如低壓AC/DC電源,低壓DC/DC電源,直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板博雅彩票平台注册。
最大峰值電壓:1.5KV;
最大有效值/峰值電流:30A/50A;
最高溫度:260°C 
元器件規格,客戶要求等
04 電氣/抗電強度測試 電子電氣產品
交流耐壓范圍:(0~5)KV/40mA;
直流耐壓范圍:(0~6)KV/9999uA
國標,IEC,客戶要求等
05 絕緣電阻測試 電子電氣產品 (100~1K)Vdc/9999MΩ  國標,IEC,客戶要求等
06 接地電阻測試 電子電氣產品 30A/600mΩ  國標,IEC,客戶要求等
07 *低溫測試 電子電氣產品 最低溫度:-70℃ 國標,IEC,客戶要求等
08 *高溫測試 電子電氣產品 最高溫度:~180℃  國標,IEC,客戶要求等
09 *高加速壽命/應力測試 電子電氣產品
溫度范圍:(-100 ~ +200)°C;
溫度上升速率:平均(70°~100°)C/m;  
加速: (5 – 60)gRMS (空臺)
國標,IEC,客戶要求等
10 *靜電放電抗擾度測試 電子電氣產品 接觸靜電放電電壓范圍:(±2~±8)KV
空氣靜電放電電壓范圍:(±2~±25)KV
國標博雅彩票平台注册,IEC,客戶要求等
11 雷擊浪涌抗擾度測試 電子電氣產品
1.2/50us綜合波的開路電壓范圍:(0.25~10)KV;
10/700us通訊波的開路電壓范圍:(0~6)KV;
輸出阻抗:1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω
國標,IEC,客戶要求等
12 電源端子騷擾電壓/傳導測試 電子電氣產品 9KHz~30MHz  國標,IEC,客戶要求等

失效分析實驗室

序號 檢測項目 覆蓋產品 檢測能力 參考標準
01 *產品外觀或形貌確認 IC,分立器件,模塊等產品
立體成像:最大45倍;
金相成像:最大1000倍
客戶要求
02 *尺寸測量 IC,分立器件,模塊等產品
立體成像:最大45倍博雅彩票平台注册;
金相成像:最大1000倍
客戶要求
03 超聲波檢測(SAT) IC,分立器件,模塊等產品 具有分層面積百分比計算,缺陷尺寸標識博雅彩票平台注册,厚度與距離測量等功能〔┭挪势逼教ㄗ⒉??蛇M行A-scan(點掃描)、B-scan(縱向掃描)、C-scan(橫向掃描)、Through-scan(透射掃描)。 國軍標
04 X-ray檢測 IC,分立器件,模塊等產品 最高分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算,缺陷尺寸標識,厚度與距離測量等功能博雅彩票平台注册??蛇M行二維掃描、三維CT掃描。 國軍標
05 推拉力檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭,測試范圍0-2500g;支持BS250博雅彩票平台注册、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭,測試范圍0-5000g,推刀接受面寬0-8891um。 國軍標
06 *有害物質檢測 IC,分立器件,模塊等產品 支持鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、六價鉻(Cr6+)、多溴聯苯(PBB)和多溴二苯醚(PBDE)博雅彩票平台注册,以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/Br最低檢測限可達2ppm。 IEC
07 *樣品開封 IC,分立器件,模塊等產品 化學開封、樣品剝層。 客戶要求
08 *剖面分析 IC,分立器件博雅彩票平台注册,模塊等產品 金相樣品制備、樣品觀察博雅彩票平台注册、樣品染色。 客戶要求
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